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UF1007

更新时间： 2024-02-01 03:03:01

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	48K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2

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UF1007 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	Factory Lead Time：	10 weeks
风险等级：	6.95	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.7 V
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	30 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向恢复时间：	0.075 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

UF1007 数据手册

UF1001–UF1007

Vishay Lite–On Power Semiconductor

Characteristics (T_j= 25 C unless otherwise specified)

1.00

8.3 ms Single Half–Sine–Wave

JEDEC method

0.75

0.50

0.25

Single phase half–wave

Resistive or Inductive load

25 50

75 100 125 150 175

100

15460

15458

Number of Cycles at 60 Hz

amb

– Ambient Temperature ( °C )

Figure 1. Max. Average Forward Current vs.

Ambient Temperature

Figure 3. Max. Peak Forward Surge Current vs.

Number of Cycles

100

T = 25°C

Pulse Width = 300 µs

f = 1 MHz

UF1001–UF1004

UF1004

1.0

0.1

UF1001–UF1003

UF1005–UF1007

0.01

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

100

15459

V – Forward Voltage ( V )

15461

– Reverse Voltage ( V )

Figure 2. Typ. Forward Current vs. Forward Voltage

Figure 4. Typ. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage

2 (4)

Rev. A2, 24-Jun-98

123 4

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