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UF1004FCT

更新时间： 2025-11-10 14:52:27
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UF1004FCT 数据手册

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®
UF1000FCT – UF1008FCT  
10A GLASS PASSIVATED DUAL ULTRAFAST RECTIFIER  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Glass Passivated Die Construction  
B
Ultrafast 50nS and 100nS Recovery Time  
Low Forward Voltage Drop  
Low Reverse Leakage Current  
ITO-220  
C
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.60  
9.70  
2.55  
—
Max  
15.40  
10.30  
2.85  
High Surge Current Capability  
G
A
E
Epoxy Meets UL 94V-0 Classification  
Ideally Suited for Use in High Frequency  
SMPS, Inverters and As Free Wheeling Diodes  
PIN1  
2
3
4.16  
D
13.00  
0.50  
3.00 Ø  
6.30  
4.20  
2.50  
0.50  
2.60  
2.29  
13.80  
0.75  
F
G
H
I
3.50 Ø  
6.90  
Mechanical Data  
F
Case: ITO-220, Full Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: See Diagram  
Weight: 1.9 grams (approx.)  
4.80  
P
J
2.90  
K
L
0.75  
I
3.30  
P
2.79  
Mounting Position: Any  
H
L
J
All Dimensions in mm  
Mounting Torque: 0.6 N.m Max.  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
K
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
UF  
UF  
UF  
UF  
UF  
UF  
UF  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
1000FCT 1001FCT 1002FCT 1003FCT 1004FCT 1006FCT 1008FCT  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
300  
210  
400  
280  
600  
420  
800  
560  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
V
A
Average Rectified Output Current  
@TC = 100°C  
Total Device  
Per Diode  
10  
5.0  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed  
on Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
125  
A
Forward Voltage per diode  
@IF = 5.0A  
VFM  
IRM  
1.0  
1.3  
1.7  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 125°C  
10  
400  
µA  
Reverse Recovery Time (Note 1)  
trr  
50  
60  
100  
40  
nS  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
CJ  
Thermal Resistance Junction to Ambient per diode  
Thermal Resistance Junction to Case per diode  
RθJA  
RθJC  
62  
4.5  
°C/W  
RMS Isolation Voltage, t = 1 min  
VISO  
1500  
V
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
°C  
Note: 1. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
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与UF1004FCT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UF1004FCT-LF WTE

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, P
UF1004FCT_T0_00001 PANJIT

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 		工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-55℃;平均整流电流（Io）:1
UF1004FL SUNMATE

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 		1A patch fast recovery diode 400V SOD-123 series
UF1004G CTC

获取价格

 		ULTRA FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
UF1005 EIC

获取价格

 		ULTRA FAST RECTIFIER DIODE
UF1005 DIODES

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 		1.0A ULTRA-FAST RECTIFIER
UF1005 FUJI

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 		1 AMP ULTRA FAST SWITCHING RECTIFIER
UF1005 GULFSEMI

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 		ULTRAFAST EFFICIENT PLASTIC SILICON RECTIFIER
UF1005 CTC

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 		ULTRA FAST RECTIFIERS
UF1005 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2

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