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UF1004FCT PDF预览

UF1004FCT

更新时间： 2024-02-02 10:59:27
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强茂 - PANJIT 二极管快恢复二极管超快恢复二极管瞄准线功效局域网快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 45K
描述
ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS

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UF1004FCT 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：DO-41
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：10 weeks
风险等级：6.8Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 VJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：400 V
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

UF1004FCT 数据手册

 浏览型号UF1004FCT的Datasheet PDF文件第2页 
DATA SHEET  
UF1000FCT~UF1008FCT  
ULTRAFAST RECOVERYRECTIFIERS  
Unit : inch (mm)  
ITO-220AB  
10.0 Amperes  
50 to 800 Volts  
CURRENT  
VOLTAGE  
FEATURES  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O utilizing  
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.  
.189(4.8)  
.165(4.2)  
.406(10.3)  
.381(9.7)  
.134(3.4)  
.118(3.0)  
.130(3.3)  
.114(2.9)  
• Exceeds environmental standards of  
MIL-S-19500/228  
• Low power loss, high efficiency.  
• Low forwrd voltge, high current capability  
• High surge capacity.  
• Ultra fast recovery time, high voltage.  
• Both normal and Pb free product are available :  
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb  
Pb free: 98.5% Sn above  
.114(2.9)  
.098(2.5)  
.071(1.8)  
.055(1.4)  
.055(1.4)  
.039(1.0)  
.032(.8)  
MAX  
MECHANCALDATA  
.035(0.9)  
.011(0.3)  
Case: ITO-220AB full molded plastic package  
Terminals: Lead solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: As marked.  
.1  
(2.55)  
.1  
(2.55)  
AC  
AC  
Positive CT  
Standard packaging: Any  
Weight: 0.08 ounces, 2.24grams.  
MAXIMUMRATINGSANDELECTRICALCHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
PA R A M E TE R  
S YM B O L U F1000FC T U F1001FC T U F1002FC T U F1003FC T U F1004FC T U F1006FC T U F1008FC T U N ITS  
M axim um R ecurrent P eak R everse Voltage  
V
V
R R M  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
10  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
V
V
V
A
A
V
M axim um R M S Voltage  
R M S  
M axim um D C B locking Voltage  
V
D C  
100  
M axim um A verage Forw ard C urrent at Tc = 100O  
C
IAV  
P eak Forw ard S urge C urrent :8.3m s single half sine-  
w ave superim posed on rated load(JE D E C m ethod)  
IFS M  
125  
M axim um Forw ard Voltage at 5.0A  
V
F
1.0  
1.30  
1.70  
M axim um D C R everse C urrent T  
at R ated D C B locking Voltage  
A
A
=25O  
=125O  
C
10  
500  
IR  
uA  
T
C
TypicalJunction C apacitance (N ote 1)  
C
J
80  
50  
50  
pF  
ns  
M axim um R everse R ecovery Tim e (N ote 2)  
TypicalTherm alR esistance (N ote 3)  
T
R R  
100  
R θJC  
2
O C / W  
O perating Junction and S torage Tem perature R ange  
T
J
,TS TG  
-50 to +150  
O C  
NOTES:  
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.  
2. Reverse Recovery Test Conditions: IF=.5A, IR=1A, Irr=.25A.  
3. Thermal resistance from Junction to case.  
4. Both Bonding and Chip structure are available.  
PAGE . 1  
STAD-MAR.12.2004  
12

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