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UES1001HR

更新时间: 2024-09-29 16:41:35
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, GLASS, A PACKAGE-2

UES1001HR 技术参数

生命周期:Active包装说明:GLASS, A PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.23其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:1.33 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:50 V最大反向恢复时间:0.025 µs
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

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