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| 生命周期： | Active | 包装说明： | GLASS, A PACKAGE-2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.23 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 1.33 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 50 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.025 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UES1001HRV | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, GLASS, A PACKAGE-2 |
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| UES1001HRX | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| UES1001SM | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon |
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| UES1001US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), |
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| UES1002 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS |
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| UES1002HR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, GLASS, A PACKAGE-2 |
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| UES1002HRS | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, GLASS, A PACKAGE-2 |
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| UES1002HRV | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, GLASS, A PACKAGE-2 |
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| UES1002HRX | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, GLASS, A PACKAGE-2 |
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| UES1002SM | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon |
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