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UES1001US

更新时间: 2024-02-16 20:00:16
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 206K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM),

UES1001US 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.74
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.975 VJESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:30 A元件数量:1
最高工作温度:175 °C最大输出电流:1 A
最大重复峰值反向电压:50 V最大反向恢复时间:0.025 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

UES1001US 数据手册

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