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U635H16BDC25G1

更新时间： 2024-01-07 00:31:41

品牌	Logo	应用领域
SIMTEK		静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
13页	221K
描述
Non-Volatile SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24

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U635H16BDC25G1 数据手册

U635H16

Write Cycle #1: W-controlled^j

t_cW

(12)

Address Valid

t_h(A)

(21)

_su(E)(17)

t_su(A-WH)

(16)

t_w(W)

(13)

t_su(D)

t_su(A)

(15)

t_h(D)

(19)

Input Data Valid

t_en(W)

(20)

DQi

Input

t_dis(W)

(22)

(23)

DQi

High Impedance

Previous Data

Output

Write Cycle #2: E-controlled^j

t_cW

(12)

Address Valid

t_w(E)

t_su(A)

(15)

t_h(A)

(21)

(20)

(18)

t_{su(W) (14)}

t_h(D)

_su(D)(19)

DQi

Input

Input Data Valid

High Impedance

DQi

Output

undefined

L- to H-level

H- to L-level

i: If W is LOW and when E goes LOW, the outputs remain in the high impedance state.

j: E or W must be V_IHduring address transition.

April 20, 2004

1...3 4 567 8 9...13

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