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U635H16BDK45

更新时间： 2024-01-08 22:10:03
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
13页 134K
描述
NVRAM (EEPROM Based)

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U635H16BDK45 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP24,.6针数：24
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.18
Is Samacsys：N最长访问时间：45 ns
JESD-30 代码：R-PDIP-T24JESD-609代码：e0
长度：31.95 mm内存密度：16384 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：1端子数量：24
字数：2048 words字数代码：2000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2KX8
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP24,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.1 mm
最大待机电流：0.003 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.08 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

U635H16BDK45 数据手册

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U635H16  
PowerStore 2K x 8 nvSRAM  
Description  
Features  
F High-performance CMOS non-  
volatile static RAM 2048 x 8 bits  
F 25, 35 and 45 ns Access Times  
F 12, 20 and 25 ns Output Enable  
Access Times  
The U635H16 has two separate  
modes of operation: SRAM mode  
and nonvolatile mode. In SRAM  
mode, the memory operates as an  
ordinary static RAM. In nonvolatile  
STORE cycles also may be initia-  
ted under user control via a soft-  
ware sequence.  
Once a STORE cycle is initiated,  
further input or output are disabled  
until the cycle is completed.  
F ICC = 15 mA at 200 ns Cycle Time operation, data is transferred in  
F Automatic STORE to EEPROM  
on Power Down using system  
capacitance  
F Software initiated STORE  
(STORE Cycle Time < 10 ms)  
F Automatic STORE Timing  
F 105 STORE cycles to EEPROM  
F 10 years data retention in  
EEPROM  
parallel from SRAM to EEPROM or  
from EEPROM to SRAM. In this  
mode SRAM functions are disab-  
led.  
The U635H16 is a fast static RAM  
(25, 35, 45 ns), with a nonvolatile  
Because a sequence of addresses  
is used for STORE initiation, it is  
important that no other read or  
write accesses intervene in the  
sequence or the sequence will be  
aborted.  
RECALL cycles may also be initia-  
ted by a software sequence.  
Internally, RECALL is a two step  
procedure. First, the SRAM data is  
cleared and second, the nonvola-  
tile information is transferred into  
the SRAM cells.  
electrically  
erasable  
PROM  
(EEPROM) element incorporated  
in each static memory cell. The  
F Automatic RECALL on Power Up SRAM can be read and written an  
F Software RECALL Initiation  
(RECALL Cycle Time < 20 µs)  
F Unlimited RECALL cycles from  
EEPROM  
F Single 5 V ± 10 % Operation  
F Operating temperature ranges:  
0 to 70 °C  
unlimited number of times, while  
independent nonvolatile data resi-  
des in EEPROM. Data transfers  
from the SRAM to the EEPROM  
(the STORE operation) take place  
automatically upon power down  
using charge stored in system  
capacitance.  
The RECALL operation in no way  
alters the data in the EEPROM  
cells. The nonvolatile data can be  
recalled an unlimited number of  
times.  
-40 to 85 °C  
F CECC 90000 Quality Standard  
F ESD characterization according  
MIL STD 883C M3015.7-HBM  
(classification see IC Code  
Numbers)  
Transfers from the EEPROM to the  
SRAM (the RECALL operation)  
take place automatically on power  
up. The U635H16 combines the  
high performance and ease of use  
of a fast SRAM with nonvolatile  
data integrity.  
F Packages:PDIP24 (600 mil)  
SOP24 (300 mil)  
Pin Description  
Pin Configuration  
1
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
A7  
A6  
VCC  
A8  
2
Signal Name Signal Description  
3
A9  
A5  
4
A4  
W
A0 - A10  
Address Inputs  
Data In/Out  
5
G
A3  
DQ0 - DQ7  
PDIP  
SOP  
24  
6
A10  
E
A2  
Chip Enable  
E
7
A1  
Output Enable  
Write Enable  
Power Supply Voltage  
Ground  
G
8
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
A0  
W
9
DQ0  
DQ1  
DQ2  
VSS  
10  
11  
12  
VCC  
VSS  
Top View  
1
November 01, 2001  
1234567...13

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与U635H16BDK45相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
U635H16BDK45G1 CYPRESS 2KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24

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U635H16BSC25 ETC NVRAM (EEPROM Based)

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