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U632H64SK25

更新时间： 2024-02-16 13:10:00

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SIMTEK		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	229K
描述
8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, PDSO28, 0.330 INCH, SOP1-28

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U632H64SK25 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP28,.5	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.13
最长访问时间：	25 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	长度：	18.1 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP28,.5
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.54 mm	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.095 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8.75 mm
Base Number Matches：	1

U632H64SK25 数据手册

U632H64

Write Cycle #1: W-controlled^j

t_cW

(12)

Address Valid

(17)

t_h(A)

t_su(E)

(21)

t_su(A-WH)

(16)

t_w(W)

(13)

t_su(A)

(15)

t_su(D)

t_h(D)

(20)

(19)

Input Data Valid

t_en(W)

High Impedance

DQi

Input

t_dis(W)

(22)

(23)

DQi

Previous Data Valid

Output

Write Cycle #2: E-controlled^j

t_cW

Address Valid

t_w(E)

(12)

t_su(A)

(15)

t_h(A)

(18)

(21)

t_su(W)

(14)

t_{su(D) (19)}

Input Data Valid

High Impedance

t_h(D)

(20)

DQi

Input

DQi

Output

undefined

L- to H-level

H- to L-level

i: If W is LOW and when E goes LOW, the outputs remain in the high impedance state.

j: E or W must be V_IHduring address transition.

April 7, 2005

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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