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TZ150N

更新时间： 2024-02-29 06:11:30

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描述
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module

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TZ150N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

TZ150N 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TZ150N

Phase Control Thyristor Module

TZ150N

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

2000

2400

2200 V

2600 V

V_DRM,V_RRM

2000

2400

2200 V

2600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

2100

2500

2300 V

2700 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

350 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

150 A

223 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85°C

T_C= 54°C

4500 A

4000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

101000 A²s

80000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6

60 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter C

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

500 V/µs

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

2,6 V

1,2 V

max.

T_vj= T_{vj max}, i_T= 600 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

2,3 mΩ

200 mA

2 V

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

max.

Zündstrom

gate trigger current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,2 V

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

I_L

max. 1200 mA

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

50 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

C.Drilling

date of publication:

revision:

11.03.04

prepared by:

approved by: M. Leifeld

1/12

A04/04

Seite/page

BIP AC / 2004-03-11; C. Drilling

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TZ150N18KOC	INFINEON	暂无描述	获取价格
TZ150N18KOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 223000mA I(T), 1800V V(RRM)	获取价格
TZ150N20	INFINEON	Trigger Device,	获取价格
TZ150N20KOC	ETC	THYRISTOR MODULE\|SCR\|2KV V(RRM)\|223A I(T)	获取价格
TZ150N20KOF	ETC	THYRISTOR MODULE\|SCR\|2KV V(RRM)\|223A I(T)	获取价格
TZ150N22KOC	ETC	THYRISTOR MODULE\|SCR\|2.2KV V(RRM)\|223A I(T)	获取价格

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