TYN212

更新时间： 2024-01-30 01:09:44

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅极触发装置可控硅整流器局域网
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描述
HIGH SURGE CAPABILITY HIGH ON-STATE CURRENT HIGH STABILITY AND RELIABILITY

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TYN212 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.28	Is Samacsys：	N
标称电路换相断开时间：	70 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us	最大直流栅极触发电流：	15 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	最大维持电流：	30 mA
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	3 mA
通态非重复峰值电流：	120 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	12000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	12 A
重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA	断态重复峰值电压：	200 V
重复峰值反向电压：	200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

TYN212 数据手册

TXN/TYN 0512 --->

TXN/TYN 1012

SCR

FEATURES

HIGH SURGE CAPABILITY

HIGH ON-STATE CURRENT

HIGH STABILITY AND RELIABILITY

TXN Serie :

INSULATED VOLTAGE = 2500V

(UL RECOGNIZED : E81734)

(RMS)

DESCRIPTION

The TYN/TXN 0512 ---> TYN/TXN 1012 Family

of Silicon Controlled Rectifiers uses a high per-

formance glass passivated technology.

This general purpose Family of Silicon Controlled

Rectifiers is designed for power supplies up to

400Hz on resistive or inductive load.

TO220AB

(Plastic)

ABSOLUTE RATINGS (limiting values)

Symbol

Parameter

Value

Unit

RMS on-state current

(180° conduction angle)

TXN

TYN

Tc=80°C

Tc=90°C

T(RMS)

Average on-state current

(180° conduction angle,single phase circuit)

TXN

TYN

Tc=80°C

Tc=90°C

T(AV)

Non repetitive surge peak on-state current

( Tj initial = 25°C )

tp=8.3 ms

tp=10 ms

125

120

TSM

I t

A s

I t value

dI/dt

Critical rate of rise of on-state current

100

A/µs

Gate supply : I = 100 mA di /dt = 1 A/µs

Tstg

Storage and operating junction temperature range

- 40 to + 150

- 40 to + 125

°C

Maximum lead temperature for soldering during 10 s at 4.5 mm

from case

260

°C

Symbol

Parameter

TYN/TXN

Unit

0512

112

212

412

612

600

812

1012

1000

Repetitive peak off-state voltage

Tj = 125 °C

100

200

400

800

DRM

RRM

1/5

April 1995

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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