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TVS312SME3

更新时间: 2024-09-25 14:36:27
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
1页 131K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, MELF-2

TVS312SME3 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:MELF
包装说明:O-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.72
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e3最大非重复峰值反向功率耗散:150 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大重复峰值反向电压:12 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:MATTE TIN端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

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