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TVS318E3

更新时间: 2024-09-25 13:58:35
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
7页 245K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 18V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, MINIATURE, GLASS PACKAGE-2

TVS318E3 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.76
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED
最小击穿电压:20.4 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:150 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
最大重复峰值反向电压:18 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

TVS318E3 数据手册

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