TV04A9V0J-G

更新时间： 2024-11-19 05:53:27

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SMD Transient Voltage Suppressor

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TV04A9V0J-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-C2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.78	其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压：	11.1 V	最小击穿电压：	10 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1 W
最大重复峰值反向电压：	9 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

TV04A9V0J-G 数据手册

SMD Transient Voltage Suppressor

SMD Diodes Specialist

TV04A5V0-G Thru. TV04A171-G

Working Peak Reverse Voltage: 5.0 to 170 Volts

Power Dissipation: 400 Watts

RoHS Device

Features

DO-214AC (SMA)

-Ideal for surface mount applications.

-Easy pick and place.

0.180(4.57)

0.160(4.06)

-Plastic package has Underwriters Lab.

flammability classification 94V-0.

0.110(2.79)

0.086(2.18)

0.067(1.70)

0.051(1.29)

-Typical IR less than 1μA above 10V.

-Fast response time: typically less than 1nS for

uni-direction, less than 5nS for bi-direction,

from 0V to BV min.

0.209(5.31)

0.185(4.70)

0.012(0.31)

0.006(0.15)

Mechanical data

0.091(2.31)

0.067(1.70)

-Case: JEDEC DO-214AC, molded plastic.

0.008(0.20)

0.004(0.10)

0.059(1.50)

0.035(0.89)

-Terminals: solderable per MIL-STD-750,

method 2026.

Dimensions in inches and (millimeter)

-Polarity: Color band denotes cathode end.

-Approx. weight: 0.064 grams

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Ratings at 25 ^OC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Value

Characteristics

Symbol

Units

Peak power dissipation on 10/1000μS

waveform (Note 1, Fig. 1)

PPPM

400

Watts

Peak pulse current on 10/1000μS

IPPM

See Table 1

1.0

waveform (Note 1, Fig. 3)

Steady state power dissipation at TL=75

(Note 2)

^OC

PM(AV)

Watts

Peak forward surge current, 8.3mS single

half sine-wave superimposed on rated

load, uni-directional only (Note 3)

IFSM

Maximum instantaneous forward voltage

at 25.0A for uni-directional only (Note 3&4)

3.5

^OC

Maximum operating junction temperature

Storage temperature range

150

TSTG

-55 to +150

Notes:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above TA=25°C, per Fig. 2.

2. Mounted on 5.0×5.0mm copper pads to each terminal.

3. Lead temperature at TL=75 ^OC per Fig.5.

4. Measured on 8.3mS single half sine-wave for uni-directional devices only.

5. Peak pulse power waveform is 10/1000μS.

REV:B

Page 1

QW-BTV01

Comchip Technology CO., LTD.

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TV04A9V0K	COMCHIP	获取价格	SMD Transient Voltage Suppressor
TV04A9V0KB	COMCHIP	获取价格	SMD Transient Voltage Suppressor
TV04A9V0KB-HF	COMCHIP	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 9V V(RWM), Bidirectional,
TV04A9V0K-G	COMCHIP	获取价格	SMD Transient Voltage Suppressor
TV04A9V0K-HF	COMCHIP	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 9V V(RWM), Unidirectional,
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