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TTP115N08A

更新时间: 2024-04-09 18:59:20
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无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP
页数 文件大小 规格书
10页 805K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由

TTP115N08A 数据手册

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TTB115N08A,TTP115N08A  
Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.  
Electrical Characteristics(TJ =25ºC unless otherwise noted)  
Value  
Typ  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Units  
Min  
Max  
STATIC PARAMETERS  
BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage  
ID = 250µA,VGS = 0V  
VDS = 85V, VGS = 0V  
85  
--  
--  
--  
--  
1
V
TJ =25ºC  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
μA  
TJ =100ºC  
--  
--  
25  
±100  
4
IGSS  
Gate-Body Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
VDS = 0V, VGS =±20V  
VDS = VGS, ID = 250µA  
VGS = 10V, ID = 30A  
VDS = 5V, ID = 20A  
--  
--  
nA  
V
VGS(th)  
RDS(ON)  
gFS  
2
3
Static Drain-Source On-Resistance  
Forward Transconductance  
Diode Forward Voltage  
--  
6.9  
--  
7.8  
--  
mΩ  
S
80  
--  
VSD  
IS = 20A, VGS = 0V  
--  
1
V
B
IS  
Maximum Body-Diode Continuous Current  
--  
--  
105  
A
DYNAMIC PARAMETERS  
Ciss  
Coss  
Crss  
Input Capacitance  
--  
--  
--  
6650  
302  
--  
--  
--  
Output Capacitance  
VGS =0V, VDS = 40V, f =1MHZ  
pF  
Reverse Transfer Capacitance  
261  
SWITCHING PARAMETERS  
Qg(10V)  
Qgs  
Qgd  
tD(on)  
tr  
Total Gate Charge  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
112  
35  
23  
24  
19  
70  
30  
37  
58  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
Gate Source Charge  
VGS =10V,VDS = 40V, ID = 20A  
nC  
ns  
Gate Drain Charge  
Turn-On Delay Time  
Turn-On Rise Time  
VGS =10V,VDS = 40V, ID =20A,  
RG =2.5Ω  
TD(off)  
tf  
Turn-Off Delay Time  
Turn-Off Fall Time  
trr  
Body Diode Reverse Recovery Time  
Body Diode Reverse Recovery Charge  
ns  
IF =20A, di/dt =100A/μs  
Qrr  
nC  
A. Single pulse width limited by maximum junction temperature.  
B. The maximum current rating is package limited.  
C. The power dissipation PD is based on TJ(MAX) =175ºC , using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in setting  
the upper dissipation limit for cases where additional heatsinking is used.  
V1.0  
www.tsinghuaicwx.com  
2

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