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TSM802CQRKG

更新时间： 2024-01-08 10:58:34

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TSC		晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	255K
描述
20V N-Channel MOSFET w/ESD Protected

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TSM802CQRKG 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.69
其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.025 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PDSO-N5
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TSM802CQRKG 数据手册

TSM802

20V N-Channel MOSFET w/ESD Protected

TDFN 3x3

PRODUCT SUMMARY

Pin Definition:

1. Source

V_DS(V)

R_DS(on)(mΩ)

25 @ V_GS= 4.5V

30 @ V_GS= 2.5V

65 @ V_GS= 1.8V

I_D(A)

2. Source

3. Source

4. Gate

5, 6, 7, 8. Drain

Features

Block Diagram

●

Advance Trench Process Technology

High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance

Low Profile 0.75mm (typ.)

ESD Protect 2KV

Application

●

Specially Designed for Li-on Battery Packs

Battery Switch Application

Ordering Information

N-Channel MOSFET

Part No.

Package

Packing

TSM802CQ RV

TSM802CQ RVG

TSM802CQ RK

TSM802CQ RKG

TDFN 3x3

3Kpcs / 7” Reel

10Kpcs / 13” Reel

Note: “G” denotes for Halogen Free

Absolute Maximum Rating (Ta = 25^oC unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

±12

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a,b

I_DM

I_S

1.4

Ta = 25^oC

Ta = 75^oC

3.1

Maximum Power Dissipation

P_D

1.6

Operating Junction Temperature

T_J

+150

-55 to +150

^oC

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

Thermal Performance

Parameter

Symbol

Rθ_JC

Limit

4.5

Unit

^oC/W

Junction to Case Thermal Resistance

Junction to Ambient Thermal Resistance (PCB mounted)

Notes:

Rθ_JA

a. Pulse width limited by the Maximum junction temperature

b. Surface Mounted on 1”x1” FR4 Board, t ≤ 10 sec.

c. Pulse limited <5s @ I_D=10A / V_GS=10V

1/6

Version: D08

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