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TSM70N600CIC0G PDF预览

TSM70N600CIC0G

更新时间： 2022-02-26 11:20:11
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TSC /
页数 文件大小 规格书
10页 1081K
描述
N-Channel Power MOSFET

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TSM70N600CIC0G 数据手册

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TSM70N600  
Taiwan Semiconductor  
CHARACTERISTICS CURVES  
(TC = 25°C unless otherwise noted)  
BVDSS vs. Junction Temperature  
Capacitance vs. Drain-Source Voltage  
Maximum Safe Operating Area (DPAK/IPAK)  
Maximum Safe Operating Area (ITO-220)  
Normalized Thermal Transient Impedance (ITO-220)  
100  
100  
10-1  
10-2  
Duty=0.5  
Duty=0.2  
Duty=0.1  
Duty=0.05  
Duty=0.02  
Duty=0.01  
Single pulse  
10-3  
10-4  
10-7  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
101  
Square Wave Pulse Duration (s)  
Document Number: DS_P0000138  
5
Version: C15  
12345678...10

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