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TSH350IQT

更新时间： 2024-02-08 10:57:19

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		放大器
页数	文件大小	规格书
22页	281K
描述
OP-AMP, 4000uV OFFSET-MAX, 65MHz BAND WIDTH, DSO8, 3 X 3 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, VDFPN-8

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TSH350IQT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DFP
包装说明：	3 X 3 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, VDFPN-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.33.00.01	风险等级：	5.77
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	标称共模抑制比：	58 dB
最大输入失调电压：	4000 µV	JESD-30 代码：	R-XDSO-N8
JESD-609代码：	e3	长度：	3 mm
湿度敏感等级：	1	负供电电压上限：	-3 V
标称负供电电压 (Vsup)：	-2.5 V	功能数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	VSON	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
标称压摆率：	940 V/us	子类别：	Operational Amplifier
供电电压上限：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	标称均一增益带宽：	65000 kHz
宽度：	3 mm	Base Number Matches：	1

TSH350IQT 数据手册

TSH350

Electrical characteristics

Table 3.

Symbol

Electrical characteristics for V = ±2.5V, T

= 25°C (unless otherwise specified)

amb

Parameter

Test conditions

R_L= 100Ω

_min< T_amb< T_max

Output to GND

Min. Typ. Max.

Unit

-1.53 -1.44

-1.49

V_OL

Low level output voltage

I_sink

135

205

195

Short-circuit output current coming in the op-

amp (see Figure 9)

_min< T_amb< T_max

Output to GND

_min< T_amb< T_max

I_out

I_source

-140 -210

-185

Output current coming out from the op-amp

(see Figure 10)

Noise and distortion

Equivalent input noise voltage

F = 100kHz

1.5

nV/√Hz

pA/√Hz

See Section 5: Noise measurements

Equivalent input noise current (+)

See Section 5: Noise measurements

Equivalent input noise current (-)

See Section 5: Noise measurements

A_V= +1, V_out= 1V_pp

F = 10MHz

F = 20MHz

F = 50MHz

F = 100MHz

Spurious free dynamic range

-66

-57

-46

-42

SFDR

dBc

The highest harmonic of the output spectrum

when injecting a filtered sine wave

Table 4.

Closed-loop gain and feedback components

V_CC(V)

Gain

R_fb(Ω)

-3dB Bw (MHz)

0.1dB Bw (MHz)

+10

-10

-2

300

820

300

125

120

390

370

550

350

110

±2.5

-1

120

5/22

1 2 3 456 7 8...22

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