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TS3DDR4000ZBAR

更新时间： 2023-09-03 20:28:35

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德州仪器 - TI		开关双倍数据速率光电二极管
页数	文件大小	规格书
24页	1050K
描述
3.3V、2:1 (SPDT)、12 通道 DDR2、DDR3 和 DDR4 开关 \| ZBA \| 48 \| -40 to 85

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TS3DDR4000ZBAR 数据手册

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TS3DDR4000

ZHCSDL6C –NOVEMBER 2014–REVISED MARCH 2019

TS3DDR4000 12 位 1:2 高速 DDR2/DDR3/DDR4 开关/多路复用器

1 特性

3 说明

•

宽 V_DD范围：2.375V 至 3.6V

TS3DDR4000 是一款 1:2 或 2:1 高速

DDR2/DDR3/DDR4 开关，可实现 12 位宽总线切换。

该器件可针对所有位同时将 A 端口切换为 B 或 C 端

口。TS3DDR4000 设计用于 DDR2、DDR3 和 DDR4

存储器总线系统，并且采用一种专有架构，可提供高带

宽（单端 5.6GHz 下的带宽为 -3dB）、低频下的低插

入损耗以及超低传播延迟等诸多优势。TS3DDR4000

兼容 1.8V 逻辑，并且所有开关均为双向开关，提高了

设计灵活性。此外，TS3DDR4000 还具有低功耗模

式。在此模式下，所有通道均呈高阻态且器件功耗最

低。

•

高带宽：5.6GHz（单端典型值）；6.0GHz（差分

典型值）

•

低开关导通电阻 (R_ON)：8Ω（典型值）

低位间偏差：3ps（典型值）；所有通道的最大值

为 6ps

•

低串扰：1067MHz 下的典型值为 –34dB

低工作电流：40μA（典型值）

具有低功耗模式，电流消耗极低：2µA（典型值）

I_OFF保护防止断电状态 (V_CC= 0V) 下的电流泄漏

支持 POD_12、SSTL_12、SSTL_15 和 SSTL_18

信令

器件信息⁽¹⁾

•

静电放电 (ESD) 性能:

器件型号

封装

封装尺寸（标称值）

–

3kV 人体放电模式（A114B，II 类）

1kV 组件充电模式 (C101)

TS3DDR4000

NFBGA (48)

8.00mm x 3.00mm

(1) 如需了解所有可用封装，请见产品说明书末尾的可订购产品附

录。

•

8mm x 3mm 48 焊球 0.65mm 间距 ZBA 封装

2 应用

•

NVDIMM 模块

企业级数据系统和服务器

笔记本／台式机

通用 DDR3/DDR4 信号切换

通用高速信号切换

应用图

NVDIMM Module

Memory

Controller

& PLL

DRAM

Battery/

Supercapacitor

NVDIMM

controller

NAND

Flash

本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确

性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SCDS356

12 3 4 5 6 7...24

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