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TPT5609-A PDF预览

TPT5609-A

更新时间： 2024-01-30 22:45:17
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 219K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92L, 3 PIN

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TPT5609-A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.83最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：190 MHz
Base Number Matches：1

TPT5609-A 数据手册

 浏览型号TPT5609-A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TPT5609-A的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
TPT5609  
Micro Commercial Components  
Features  
ꢀꢁ Excellent linearity of Current Gain  
ꢀꢁ Low saturation voltage  
NPN Epitaxial  
Silicon Transistor  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
20  
25  
5.0  
1.0  
Unit  
V
V
V
A
TO-92L  
PC  
TJ  
TSTG  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
0.75  
-55 to +150  
-55 to +150  
W
OC  
OC  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
BVCBO  
BVCEO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10ČAdc, IE=0)  
25  
20  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1mAdc, IB=0)  
BVEBO  
ICBO  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=20Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
1
Vdc  
uAdc  
uAdc  
IEBO  
---  
1
B
C
E
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
VBE(on)  
VCE(sat)  
fT  
DC Current gain  
(IC=500mAdc, VCE=2.0Vdc)  
Base-Emitter On Voltage  
(VCE=2.0Vdc, IC=500mAdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=800mAdc, IB=80mAdc)  
Current Gain Bandwidth Product  
(VCE=2.0Vdc, IC=500mAdc)  
Output Capacitance  
60  
---  
---  
---  
---  
---  
240  
---  
---  
---  
1.0  
0.5  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
pF  
DIMENSIONS  
190  
22  
INCHES  
MAX  
4.100  
MM  
DIM  
A
MIN  
3.700  
4.000  
0.000  
0.350  
1.280  
4.700  
7.800  
13.80  
.600  
MIN  
.146  
.157  
0.000  
.014  
.050  
.185  
.307  
.543  
.024  
.014  
MAX  
.161  
---  
NOTE  
Cob  
---  
B
---  
(VCB=10Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
C
D
E
0.300  
0.450  
1.580  
5.100  
8.200  
14.20  
.800  
0.012  
.018  
.062  
.201  
.323  
.559  
.031  
.022  
CLASSIFICATION OF hFE  
F
G
H
J
Rank  
Range  
A
B
C
60-120  
85-170  
120-240  
K
0.350  
.550  
L
1.270  
.050  
M
2.440  
2.640  
.096  
.104  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: 1  
2007/12/14  
123

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