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TPT5610

更新时间： 2024-02-28 17:07:09

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	30K
描述
TRANSISTOR (PNP)

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TPT5610 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	60	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO

TPT5610 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors

TO-92L

TPT5610 TRANSISTOR (PNP)

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

FEATURES

Power dissipation

P_CM:

W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

-1

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

-25

1 2 3

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=-10µA, I_E=0

Ic=-1mA, I_B=0

MIN

-25

-20

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

I_E=-10µA, I_C=0

µA

V_CB=-20V, I_E=0

-1

I_EBO

V_EB=-5V, I_C=0

h_FE

DC current gain

_CE=-2V, I_C=-500mA

240

-0.5

-1

V_CE(sat)

V_BE

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

I_C=-800mA, I_B=-80mA

_CE=-2V, I_C=-500mA

MHz

Transition frequency

f_T

V_CE=-2V, I_C=-500mA

_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

350

C_ob

Collector output capacitance

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

60-120

85-170

120-240

Range

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