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TPL7407LADR

更新时间: 2023-09-03 20:34:11
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德州仪器 - TI 驱动驱动器
页数 文件大小 规格书
27页 1467K
描述
30V、7 通道 NMOS 阵列低侧驱动器 | D | 16 | -40 to 125

TPL7407LADR 数据手册

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TPL7407LA  
ZHCSGA2A MAY 2017REVISED MAY 2018  
TPL7407LA 30V 7 通道低侧驱动器  
1 特性  
2 应用  
1
600mA 额定漏极电流(每通道)  
电感负载  
改进了 7 通道达林顿晶体管阵列的 CMOS 引脚对  
引脚(例如:ULN2003A)  
继电器  
单极步进和有刷直流电机  
螺线管 & 阀门  
功耗(极低 VOL  
电流为 100mA 时,VOL 低于达林顿晶体管阵列  
的四分之一  
发光二极管 (LED)  
逻辑电平位移  
输出泄露极低,每通道小于 10nA  
栅极 & 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 驱动  
扩展工作环境温度范围:  
TA = –40°C +125°C  
3 说明  
高压输出 30V  
TPL7407LA 是一款高压大电流 NMOS 晶体管阵列。  
这个器件包含 7 个具有高压输出的 NMOS 晶体管,这  
些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二极管。  
单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为 600mA。  
器件添加了新的调节和驱动电路,可在全部 GPIO 范  
围(1.8V 5V)提供最大驱动能力。这些晶体管还可  
以通过采用并联方式来提供更高的电流。  
1.8V 5V 微控制器和逻辑接口兼容  
用于提供电感反冲保护的内部自振荡二极管  
可借助输入下拉电阻器实现三态输入驱动器  
用来消除嘈杂环境中的杂散运行的输入 RC 缓冲器  
电感负载驱动器 应用  
ESD 保护性能超出 JESD 22 标准  
2kV HBM500V CDM  
与双极达林顿实现相比,TPL7407LA 的主要优势在于  
采用 16 引脚 SOIC TSSOP 封装  
其具有改进的效率和更低的泄漏。借助于较低的 VOL,  
功率耗散比传统继电器驱动器减少一半,每通道的电流  
低于 250mA。  
器件信息(1)  
器件型号  
TPL7407LAPW  
TPL7407LAD  
封装(引脚)  
TSSOP (16)  
SOIC (16)  
封装尺寸(标称值)  
5.00mm × 4.40mm  
9.90mm x 3.91mm  
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
简化应用原理图  
VSUP  
M
TPL7407LA  
OUT1  
IN1  
IN2  
IN3  
IN4  
IN5  
IN6  
IN7  
GND  
1.8 V Logic  
OUT2  
OUT3  
OUT4  
OUT5  
OUT6  
OUT7  
COM  
24 V  
1.8 V Logic  
CCOM  
Copyright  
© 2017, Texas Instruments Incorporated  
1
本文档旨在为方便起见,提供有关 TI 产品中文版本的信息,以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息,请访问 www.ti.com,其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确  
性和有效性。 在实际设计之前,请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLRS073  
 
 
 
 

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