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TPL7407LA
ZHCSGA2A –MAY 2017–REVISED MAY 2018
TPL7407LA 30V 7 通道低侧驱动器
1 特性
2 应用
1
•
•
600mA 额定漏极电流(每通道)
•
电感负载
改进了 7 通道达林顿晶体管阵列的 CMOS 引脚对
引脚(例如:ULN2003A)
–
–
–
继电器
单极步进和有刷直流电机
螺线管 & 阀门
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功耗(极低 VOL
电流为 100mA 时,VOL 低于达林顿晶体管阵列
的四分之一
)
–
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•
发光二极管 (LED)
逻辑电平位移
•
•
输出泄露极低,每通道小于 10nA
栅极 & 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 驱动
扩展工作环境温度范围:
TA = –40°C 至 +125°C
3 说明
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•
高压输出 30V
TPL7407LA 是一款高压大电流 NMOS 晶体管阵列。
这个器件包含 7 个具有高压输出的 NMOS 晶体管,这
些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二极管。
单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为 600mA。
器件添加了新的调节和驱动电路,可在全部 GPIO 范
围(1.8V 至 5V)提供最大驱动能力。这些晶体管还可
以通过采用并联方式来提供更高的电流。
与 1.8V 和 5V 微控制器和逻辑接口兼容
用于提供电感反冲保护的内部自振荡二极管
可借助输入下拉电阻器实现三态输入驱动器
用来消除嘈杂环境中的杂散运行的输入 RC 缓冲器
电感负载驱动器 应用
ESD 保护性能超出 JESD 22 标准
–
2kV HBM,500V CDM
与双极达林顿实现相比,TPL7407LA 的主要优势在于
•
采用 16 引脚 SOIC 和 TSSOP 封装
其具有改进的效率和更低的泄漏。借助于较低的 VOL,
功率耗散比传统继电器驱动器减少一半,每通道的电流
低于 250mA。
器件信息(1)
器件型号
TPL7407LAPW
TPL7407LAD
封装(引脚)
TSSOP (16)
SOIC (16)
封装尺寸(标称值)
5.00mm × 4.40mm
9.90mm x 3.91mm
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
简化应用原理图
VSUP
M
TPL7407LA
OUT1
IN1
IN2
IN3
IN4
IN5
IN6
IN7
GND
1.8 V Logic
OUT2
OUT3
OUT4
OUT5
OUT6
OUT7
COM
24 V
1.8 V Logic
CCOM
Copyright
© 2017, Texas Instruments Incorporated
1
本文档旨在为方便起见,提供有关 TI 产品中文版本的信息,以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息,请访问 www.ti.com,其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确
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English Data Sheet: SLRS073