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TPL7407LA-Q1

更新时间： 2023-09-03 20:34:12
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德州仪器 - TI 驱动驱动器
页数 文件大小 规格书
22页 838K
描述
30V、7 通道汽车类 NMOS 阵列低侧驱动器

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TPL7407LA-Q1 数据手册

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TPL7407LA-Q1  
ZHCSIA6 –MAY 2018  
TPL7407LA-Q1 30V 7 通道低侧驱动器  
1 特性  
2 应用  
1
•
•
符合汽车类应用的 标准  
具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：  
•
电感负载  
–
–
–
继电器  
–
器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温  
度范围  
单极步进电机和刷式直流电机  
电磁阀  
–
–
器件 HBM ESD 分类等级 2  
•
•
•
LED  
器件 CDM ESD 分类等级 C4B  
逻辑电平位移  
栅极和 IGBT 驱动  
•
•
600mA 额定漏极电流（每通道）  
7 通道达林顿晶体管阵列 CMOS 引脚对引脚改善  
（例如：ULN2003A）  
3 说明  
•
能效（极低 VOL  
电流为 100mA 时，VOL 低于达林顿晶体管阵列  
的四分之一  
）
TPL7407LA-Q1 是一款高压、高电流 NMOS 晶体管阵  
列。这个器件包含 7 个具有高压输出的 NMOS 晶体  
管，这些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二  
极管。单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为  
600mA。器件添加了新的调节和驱动电路，可在全部  
GPIO 范围（1.8V 至 5V）提供最大驱动能力。这些晶  
体管还可以通过采用并联方式来提供更高的电流。  
–
•
•
•
•
•
•
•
输出泄露极低，每通道小于 10nA  
高压输出 30V  
与 1.8V 和 5V 微控制器和逻辑接口兼容  
用于提供电感反冲保护的内部自振荡二极管  
可借助输入下拉电阻器实现三态输入驱动器  
用来消除嘈杂环境中的杂散运行的输入 RC 缓冲器  
ESD 保护性能超出 JESD 22 标准  
相比双极达林顿晶体管实施，TPL7407LA-Q1 的主要  
优势在于其具有更高的能效和更低的泄漏。依赖于较低  
的 VOL，功率耗散比传统继电器驱动器减少一半，每通  
道的电流低于 250mA。  
–
2kV HBM，500V CDM  
器件信息(1)  
器件号  
封装（引脚）  
TSSOP (16)  
封装尺寸（标称值）  
TPL7407LA-Q1  
5.00mm × 4.40mm  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品  
附录。  
简化应用原理图  
VSUP  
M
TPL7407LA-Q1  
IN1  
OUT1  
OUT2  
OUT3  
OUT4  
OUT5  
OUT6  
OUT7  
COM  
1.8 V Logic  
IN2  
IN3  
IN4  
IN5  
IN6  
IN7  
GND  
24 V  
1.8 V Logic  
CCOM  
1
本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确  
性和有效性。 在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLRS074  
 
 
 
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TPL7407LAQPWRQ1 TI 30V、7 通道汽车类 NMOS 阵列低侧驱动器 | PW | 16 | -40 to 1

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