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TPL7407LAQPWRQ1

更新时间: 2024-02-28 14:52:17
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 驱动光电二极管接口集成电路驱动器
页数 文件大小 规格书
22页 838K
描述
30V、7 通道汽车类 NMOS 阵列低侧驱动器 | PW | 16 | -40 to 125

TPL7407LAQPWRQ1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:TSSOP,
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:1.69内置保护:TRANSIENT
驱动器位数:7接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G16长度:5 mm
湿度敏感等级:2功能数量:7
端子数量:16最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C输出电流流向:SINK
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260筛选级别:AEC-Q100
座面最大高度:1.2 mm表面贴装:YES
温度等级:AUTOMOTIVE端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:4.4 mm
Base Number Matches:1

TPL7407LAQPWRQ1 数据手册

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TPL7407LA-Q1  
ZHCSIA6 MAY 2018  
TPL7407LA-Q1 30V 7 通道低侧驱动器  
1 特性  
2 应用  
1
符合汽车类应用的 标准  
具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:  
电感负载  
继电器  
器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温  
度范围  
单极步进电机和刷式直流电机  
电磁阀  
器件 HBM ESD 分类等级 2  
LED  
器件 CDM ESD 分类等级 C4B  
逻辑电平位移  
栅极和 IGBT 驱动  
600mA 额定漏极电流(每通道)  
7 通道达林顿晶体管阵列 CMOS 引脚对引脚改善  
(例如:ULN2003A)  
3 说明  
能效(极低 VOL  
电流为 100mA 时,VOL 低于达林顿晶体管阵列  
的四分之一  
TPL7407LA-Q1 是一款高压、高电流 NMOS 晶体管阵  
列。这个器件包含 7 个具有高压输出的 NMOS 晶体  
管,这些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二  
极管。单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为  
600mA。器件添加了新的调节和驱动电路,可在全部  
GPIO 范围(1.8V 5V)提供最大驱动能力。这些晶  
体管还可以通过采用并联方式来提供更高的电流。  
输出泄露极低,每通道小于 10nA  
高压输出 30V  
1.8V 5V 微控制器和逻辑接口兼容  
用于提供电感反冲保护的内部自振荡二极管  
可借助输入下拉电阻器实现三态输入驱动器  
用来消除嘈杂环境中的杂散运行的输入 RC 缓冲器  
ESD 保护性能超出 JESD 22 标准  
相比双极达林顿晶体管实施,TPL7407LA-Q1 的主要  
优势在于其具有更高的能效和更低的泄漏。依赖于较低  
VOL,功率耗散比传统继电器驱动器减少一半,每通  
道的电流低于 250mA。  
2kV HBM500V CDM  
器件信息(1)  
器件号  
封装(引脚)  
TSSOP (16)  
封装尺寸(标称值)  
TPL7407LA-Q1  
5.00mm × 4.40mm  
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅产品说明书末尾的可订购产品  
附录。  
简化应用原理图  
VSUP  
M
TPL7407LA-Q1  
IN1  
OUT1  
OUT2  
OUT3  
OUT4  
OUT5  
OUT6  
OUT7  
COM  
1.8 V Logic  
IN2  
IN3  
IN4  
IN5  
IN6  
IN7  
GND  
24 V  
1.8 V Logic  
CCOM  
1
本文档旨在为方便起见,提供有关 TI 产品中文版本的信息,以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息,请访问 www.ti.com,其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确  
性和有效性。 在实际设计之前,请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLRS074  
 
 
 

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