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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> TM55CZ-M
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TM55CZ-M

更新时间： 2024-01-14 15:38:32
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三菱 - MITSUBISHI 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
5页 66K
描述
MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE

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TM55CZ-M 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Not RecommendedReach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.77
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN SERIES DIODE
最大直流栅极触发电流：100 mA快速连接描述：G-GR
螺丝端子的描述：A-K-AKJESD-30 代码：R-PUFM-X5
最大漏电流：10 mA通态非重复峰值电流：1100 A
元件数量：1端子数量：5
最大通态电流：55000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：86.35 A断态重复峰值电压：400 V
重复峰值反向电压：400 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

TM55CZ-M 数据手册

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MITSUBISHI THYRISTOR MODULES  
TM55DZ/CZ-M,-H  
MEDIUM POWER GENERAL USE  
INSULATED TYPE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Voltage class  
Symbol  
Parameter  
Unit  
M
H
VRRM  
Repetitive peak reverse voltage  
Non-repetitive peak reverse voltage  
DC reverse voltage  
400  
480  
320  
400  
480  
320  
800  
960  
640  
800  
960  
640  
V
V
V
V
V
V
VRSM  
VR (DC)  
VDRM  
VDSM  
VD (DC)  
Repetitive peak off-state voltage  
Non-repetitive peak off-state voltage  
DC off-state voltage  
Symbol  
Parameter  
RMS on-state current  
Average on-state current  
Conditions  
Ratings  
86  
Unit  
A
IT (RMS)  
IT (AV)  
ITSM  
Single-phase, half-wave 180° conduction, TC=86°C  
55  
A
Surge (non-repetitive) on-state current One half cycle at 60Hz, peak value  
2
1100  
A
2
3
2
I t  
I t for fusing  
Value for one cycle of surge current  
5.0 × 10  
100  
A s  
di/dt  
PGM  
PG (AV)  
VFGM  
VRGM  
IFGM  
Tj  
Critical rate of rise of on-state current VD=1/2VDRM, IG=1.0A, Tj=125°C  
Peak gate power dissipation  
A/µs  
W
5.0  
Average gate power dissipation  
Peak gate forward voltage  
0.5  
W
10  
V
Peak gate reverse voltage  
5.0  
V
Peak gate forward current  
2.0  
A
Junction temperature  
–40~+125  
–40~+125  
2500  
°C  
Tstg  
Storage temperature  
°C  
Viso  
Isolation voltage  
Mounting torque  
Weight  
Charged part to case  
V
1.47~1.96  
15~20  
1.96~2.94  
20~30  
160  
N·m  
kg·cm  
N·m  
kg·cm  
g
Main terminal screw M5  
—
—
Mounting screw M6  
Typical value  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Limits  
Typ.  
—
Symbol  
Parameter  
Test conditions  
Unit  
Min.  
—
Max.  
10  
IRRM  
Repetitive peak reverse current  
Repetitive peak off-state current  
On-state voltage  
Tj=125°C, VRRM applied  
Tj=125°C, VDRM applied  
mA  
mA  
V
—
—
10  
IDRM  
VTM  
—
—
1.35  
—
Tj=125°C, ITM=165A, instantaneous meas.  
500  
—
—
dv/dt  
VGT  
Critical rate of rise of off-state voltage Tj=125°C, VD=2/3VDRM  
V/µs  
V
—
3.0  
—
Gate trigger voltage  
Tj=25°C, VD=6V, RL=2Ω  
0.25  
15  
—
VGD  
Gate non-trigger voltage  
Gate trigger current  
Tj=125°C, VD=1/2VDRM  
V
—
100  
0.5  
0.2  
IGT  
Tj=25°C, VD=6V, RL=2Ω  
mA  
°C/W  
°C/W  
—
—
Rth (j-c)  
Rth (c-f)  
Thermal resistance  
Junction to case (per 1/2 module)  
Case to fin, conductive grease applied (per 1/2 module)  
—
—
Contact thermal resistance  
Measured with a 500V megohmmeter between main terminal  
and case  
10  
—
—
—
Insulation resistance  
MΩ  
Feb.1999  
12345

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