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TM2EP64DJN

更新时间： 2024-02-27 14:17:30
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
43页 679K
描述
EXTENDED-DATA-OUT DYNAMIC RAM MODULES

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TM2EP64DJN 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：,针数：168
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：50 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码：R-XDMA-N168
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：EDO DRAM MODULE
内存宽度：64功能数量：1
端口数量：1端子数量：168
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX64
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

TM2EP64DJN 数据手册

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SMMS684A − AUGUST 1997 − REVISED FEBRUARY 1998  
†
absolute maximum ratings over ambient temperature range (unless otherwise noted)  
Supply voltage range, V  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −0.5 V to 4.6 V  
DD  
Voltage range on any pin (see Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . − 0.5 V to 4.6 V  
Short-circuit output current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA  
Power dissipation: TM2EP64DxN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 W  
TM2EP72DxN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 W  
TM4EP64DxN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 W  
TM4EP72DxN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 W  
Ambient temperature range, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0°C to 70°C  
A
stg  
Storage temperature range, T  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . − 55°C to 125°C  
†
Stresses beyond those listed under “absolute maximum ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and  
functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under “recommended operating conditions” is not  
implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.  
NOTE 1: All voltage values are with respect to V  
.
SS  
recommended operating conditions  
MIN NOM  
MAX  
UNIT  
V
V
V
V
V
V
Supply voltage  
3
3.3  
0
3.6  
DD  
Supply voltage  
V
SS  
High-level input voltage  
High-level input voltage for the SPD device  
Low-level input voltage  
Ambient temperature  
2
2
V
DD  
+ 0.3  
V
IH  
5.5  
0.8  
70  
V
IH−SPD  
IL  
−0.3  
0
V
T
A
°C  
capacitance over recommended ranges of supply voltage and ambient temperature, f = 1 MHz  
(see Note 2)  
’2EP64DxN  
’2EP72DxN  
’4EP64DxN  
’4EP72DxN  
PARAMETER  
UNIT  
MIN MAX  
MIN MAX  
MIN MAX  
MIN MAX  
C
C
C
C
C
C
C
C
Input capacitance, A0−A10  
Input capacitance, OEx  
42  
30  
9
47  
37  
16  
37  
37  
9
82  
58  
16  
30  
38  
16  
9
92  
72  
30  
37  
37  
16  
9
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
i(A)  
i(OE)  
i(CAS)  
i(RAS)  
i(W)  
Input capacitance, CASx  
Input capacitance, RASx  
30  
30  
9
Input capacitance, WEx  
Output capacitance  
o
Input/output capacitance, SDA input  
Input capacitance, SA0,SA1,SA2,SCL inputs  
9
9
i/o(SDA)  
i(SPD)  
7
7
7
7
NOTE 2:  
V
DD  
= NOM supply voltage 10%, and the bias on pins under test is 0 V.  
7
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251−1443  
1...45678910...43

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