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TLP155(E(O

更新时间： 2024-09-25 20:58:11

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东芝 - TOSHIBA		/
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10页	194K
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TLP155(E(O

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TLP155(E(O 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
最大正向电流：	0.02 A	最大绝缘电压：	3750 V
安装特点：	SURFACE MOUNT	元件数量：	1
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-40 °C
标称响应时间：	2e-7 ns	子类别：	Optocoupler - IC Outputs
标称供电电压：	30 V	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

TLP155(E(O 数据手册

TLP155

Photocouplers GaAℓAs Infrared LED & Photo IC

TLP155

1. Applications

•

Plasma Display Panels (PDPs)

Transistor Inverters

MOSFET Gate Drivers

IGBT Gate Drivers

2. General

The Toshiba TLP155 consists of a GaAℓAs infrared light-emitting diodes and integrated high gain, high-speed

photodetectors. The TLP155 is housed in the SO6 package. The photodetector has an internal Faraday shield

that provides a guaranteed Common-mode transient immunity of ±20 kV/µ. TLP155 is suitable for direct gate

driving circuit for IGBTs or power MOSFETs.

3. Features

(1) Buffer logic type (Totem pole output)

(2) Package type: SO6

(3) Output peak current: ±0.6 A (max)

(4) Operating temperature: -40 to 100

(5) Threshold input current: 7.5 mA (max)

(6) Propagation delay time: tpHL/tpLH = 200 ns (max)

(7) Common-mode transient immunity: ±20 kV/µs (min)

(8) Propagation delay skew: ±85 ns(max)

(9) Isolation voltage: 3750 Vrms (min)

4. Packaging and Pin Assignment

1: Anode

3: Cathode

4: GND

5: VO(Output)

6: VCC

11-4L1S

2012-11-13

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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