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TLP155E PDF预览

TLP155E

更新时间： 2024-09-27 14:57:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 524K
描述
Photocoupler (photo-IC output), IGBT driver, IOP=+/-0.6 A, 3750 Vrms, 5pin SO6

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TLP155E 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SOP-5/6
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.40.80.00
风险等级：5.71其他特性：OPEN COLLECTOR, UL RECOGNIZED
配置：SINGLE最大正向电流：0.02 A
最大绝缘电压：3750 V元件数量：1
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-40 °C
光电设备类型：LOGIC IC OUTPUT OPTOCOUPLER最小供电电压：10 V
Base Number Matches：1

TLP155E 数据手册

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TLP155E  
TOSHIBA Photocoupler IRED + Photo IC  
TLP155E  
Plasma Display Panel (PDP)  
Industrial Inverter  
Unit: mm  
MOS FET / IGBT Gate Driver  
6
5
4
The Toshiba TLP155E consists of an infrared emitting diodes and integrated  
high gain, high-speed photodetectors. The TLP155E is housed in the SO6  
package.  
The photodetector has an internal Faraday shield that provides a guaranteed  
common-mode transient immunity of ±15 kV/μs. TLP155E is suitable for direct  
gate driving circuit for IGBTs or power MOSFETs.  
3
1
3.7 ± 0.15  
7.0 ± 0.4  
Buffer logic type (Totem pole output)  
Package type: SO6  
0.4  
0.5 min  
Peak Output Current :  
I
= ±0.6 A (max)  
1.27  
2.54  
OP  
Guaranteed performance over temperature: -40 to 100 °C  
Threshold Input Current:  
Propagation delay time :  
I
= 7.5 mA (max)  
FLH  
JEDEC  
―
t
/ t  
= 200 ns (max)  
pLH pHL  
JEITA  
―
TOSHIBA  
11-4L1  
Common mode transient immunity  
Isolation voltage  
:
:
±15 kV/μs (min)  
weight: 0.08 g (typ.)  
3750 V  
rms  
(min)  
UL-recognized: UL 1577, File No.E67349  
Pin Configuration (Top View)  
cUL-recognized: CSA Component Acceptance Service No.5A  
File No.E67349  
1:ANODE  
3:CATHODE  
4:GND  
1
6
5
4
VDE-approved: EN 60747-5-5, EN 62368-1 (Note 1)  
CQC-approved: GB4943.1, GB8898 Thailand Factory  
5:V (Output)  
O
6:V  
CC  
3
SHIELD  
Note 1: When a EN 60747-5-5 approved type is needed,  
please designate the Option(V4).  
Truth Table  
Schematic  
I
CC  
6
V
Input  
LED  
M1  
M2  
Output  
CC  
(M1)  
(M2)  
H
L
ON  
ON  
OFF  
ON  
H
L
I
F
OFF  
OFF  
1+  
I
V
O
F
5
3−  
V
O
Construction Mechanical Ratings  
4
GND  
Creepage distance  
Clearance distance  
5.0 mm (min)  
5.0 mm (min)  
SHIELD  
Insulation thickness 0.4 mm (min)  
Start of commercial production  
2010-08  
© 2019  
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation  
1
2019-05-27  
1234567...15

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与TLP155E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TLP155E(E) TOSHIBA

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