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TK19H50C

更新时间： 2024-10-01 21:53:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 347K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (MOS VI)

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TK19H50C 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：968 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：19 A
最大漏极电流 (ID)：19 A最大漏源导通电阻：0.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：76 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TK19H50C 数据手册

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TK19H50C  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)  
TK19H50C  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Low drain−source ON resistance  
: R  
= 0. 25Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance  
: |Y | = 14 S (typ.)  
fs  
Low leakage current  
Enhancement mode  
: I  
= 100 µA (max) (V  
= 500 V)  
DSS  
DS  
: V = 2.0~4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
th  
DS  
D
Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain−source voltage  
V
500  
500  
±30  
19  
V
V
DSS  
Drain−gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
Gate−source voltage  
V
V
GSS  
1: GATE  
DC (Note 1)  
Pulse (Note 1)  
I
A
D
Drain current  
2: DRAIN (HEAT SINK)  
3: SOURCE  
I
76  
A
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
Single-pulse avalanche energy  
P
150  
W
D
AS  
AR  
E
968  
mJ  
(Note 2)  
JEDEC  
―
―
Avalanche current  
I
19  
15  
A
JEITA  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
TOSHIBA  
2-16K1A  
T
ch  
150  
Weight: 3.8 g (typ.)  
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
Thermal Characteristics  
2
Characteristic  
Symbol  
Max  
0.833  
50  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
R
°C / W  
°C / W  
th (ch−c)  
th (ch−a)  
Thermal resistance, channel to  
ambient  
R
1
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 4.56 mH, R = 25 Ω, I = 19 A  
AR  
V
DD  
ch  
G
3
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2005-08-23  
123456

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