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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP131
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TIP131

更新时间： 2024-02-11 05:38:56
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 61K
描述
Darlington Complementary Silicon Power Transistors

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TIP131 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-220AB包装说明：CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.3
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：70 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：2 MHzVCEsat-Max：2 V
Base Number Matches：1

TIP131 数据手册

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TIP131, TIP132 (NPN),  
TIP137 (PNP)  
Preferred Devices  
Darlington Complementary  
Silicon Power Transistors  
Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching  
applications.  
http://onsemi.com  
Features  
DARLINGTON 8 AMPERE  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
• High DC Current Gain −  
h
= 2500 (Typ) @ I  
= 4.0 Adc  
FE  
C
80−100 VOLTS, 70 WATTS  
• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc  
V
= 80 Vdc (Min) − TIP131  
CEO(sus)  
= 100 Vdc (Min) − TIP132, TIP137  
MARKING  
DIAGRAM  
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −  
V
CE(sat)  
= 2.0 Vdc (Max) @ I = 4.0 Adc  
C
= 3.0 Vdc (Max) @ I = 6.0 Adc  
C
4
• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors  
• Pb−Free Packages are Available*  
TO−220AB  
TIP13xG  
AYWW  
CASE 221A  
STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
TIP132  
1
2
3
TIP137  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol TIP131  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
80  
80  
100  
CEO  
V
100  
CB  
EB  
V
5.0  
TIP13x = Device Code  
Collector Current − Continuous  
Peak  
I
8.0  
12  
x
A
Y
WW  
G
= 1, 2, or 7  
C
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Base Current  
I
300  
70  
mAdc  
W
B
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
P
C
D
D
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
2.0  
W
A
Operating and Storage Junction,  
Temperature Range  
T , T  
–ꢀ65 to +ꢀ150  
_C  
J
stg  
ORDERING INFORMATION  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Device  
Package  
Shipping  
Symbol  
Max  
Unit  
TIP131  
TO−220  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
R
q
JC  
1.78  
_C/W  
TIP131G  
TO−220  
(Pb−Free)  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
63.5  
_C/W  
TIP132  
TO−220  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
TIP132G  
TO−220  
(Pb−Free)  
TIP137  
TO−220  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
TIP137G  
TO−220  
(Pb−Free)  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
August, 2005 − Rev. 1  
TIP131/D  
1234

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TIP131 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
D44H11G ONSEMI

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