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TIP127 PDF预览

TIP127

更新时间： 2024-02-28 21:01:50
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博卡 - BOCA 开关
页数 文件大小 规格书
2页 31K
描述
Power Darlingtons for Linear and Switching Applications

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TIP127 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.59外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：75 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

TIP127 数据手册

 浏览型号TIP127的Datasheet PDF文件第1页 
Boca Semiconductor Corp.  
BSC  
TIP120, TIP121, TIP122  
TIP125, TIP126, TIP127  
Collector current  
Collector current (peak)  
Base current  
Total power dissipation up to T = 25°C  
Derate above 25°C  
I
I
I
max.  
max.  
max.  
max.  
max  
max.  
max  
max.  
5.0  
8
120  
65  
0.52  
A
A
mA  
W
W/  
W
W/  
°C  
C
CM  
B
P
C
tot  
tot  
°
C
Total power dissipation up to T = 25°C  
P
2
A
Derate above 25°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
0.016  
150  
–65 to +150  
°
C
T
T
j
ºC  
stg  
THERMAL RESISTANCE  
From junction to ambient  
From junction to case  
R
R
62.5  
1.92  
°
°
C/W  
C/W  
th j–a  
th j–c  
CHARACTERISTICS  
T
amb  
= 25°C unless otherwise specified  
120 121 122  
125 126 127  
Collector cutoff current  
I
= 0; V = 60 V  
I
I
I
I
I
I
max. 0.2  
–
0.2  
–
–
0.5  
–
–
–
mA  
mA  
E
CB  
= 0; V = 80 V  
CBO  
CBO  
CBO  
CEO  
CEO  
CEO  
I
max.  
max.  
–
–
E
CB  
I
= 0; V  
= 0; V  
= 0; V  
= 0; V  
= 100 V  
= 30V  
= 40V  
= 50V  
0.2 mA  
–
–
E
CB  
CE  
CE  
CE  
I
max. 0.5  
mA  
mA  
B
I
max.  
max.  
–
–
B
I
B
0.5 mA  
Emitter cut-off current  
I
= 0; V = 5 V  
I
max.  
2.0  
mA  
C
EB  
Breakdown voltages  
= 100 mA; I = 0  
EBO  
I
V
V
V
*
min. 60  
min. 60  
min.  
80 100  
80 100  
5.0  
V
V
V
C
B
CEO(sus)  
CBO  
I
= 1 mA; I = 0  
C
E
I
E
= 1 mA; I = 0  
C
EBO  
Saturation voltages  
I
I
C
= 3.0 A; I = 12 mA  
V
CEsat  
V
CEsat  
*
*
max.  
max.  
2.0  
4.0  
V
V
C
B
= 5.0 A; I = 20 mA  
B
Base-emitter on voltage  
I
= 3A; V = 3V  
V
*
max.  
2.5  
V
C
CE  
D.C. current gain  
= 0.5A; V  
BE(on)  
I
= 3V  
CE  
= 3A; V = 3V  
h *  
FE  
min.  
min.  
1.0  
1.0  
C
I
C
CE  
Small signal current gain  
= 3A; V = 4V; f = 1 MHz  
I
C
| h |  
fe  
min.  
4.0  
CE  
Output capacitance at f = 0.1 MHz  
I
E
= 0; V  
= 10V  
PNP  
NPN  
C
C
max.  
max.  
300  
200  
pF  
pF  
CB  
o
o
* Pulse test: pulse width ≤ 300 µs; duty cycle ≤ 2%.  
http://www.bocasemi.com  
page: 2  
12

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