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TIP100

更新时间： 2024-02-16 13:15:50

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
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描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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TIP100 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	80 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

TIP100 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

TIP100

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: h_FE= 1000(Min)@ I_C= 3A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 60V(Min)

·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 2.0V(Max)@ I_C= 3A

= 2.5V(Max)@ I_C= 8A

·Complement to Type TIP105

APPLICATIONS

·Designed for general-purpose amplifier and low-speed

switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current- Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

Junction Temperature

150

℃

T_j

Storage Temperature Range

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

1.56

62.5

UNIT

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Case

Thermal Resistance,Junction to Ambient

R_{th j-c}

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

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