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TIM3742-45SL-341

更新时间: 2024-02-13 00:51:55
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东芝 - TOSHIBA 微波
页数 文件大小 规格书
4页 524K
描述
MICROWAVE POWER GaAs FET

TIM3742-45SL-341 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.1
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:15 V最大漏极电流 (Abs) (ID):31 A
最大漏极电流 (ID):20 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:S BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:125 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1

TIM3742-45SL-341 数据手册

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TIM3742-45SL-341  
RF PERFORMANCE  
Output Power (Pout) vs. Frequency  
VDS=10V  
IDS@9.6A  
Pin=35.5dBm  
47  
46  
45  
44  
3.3  
3.4  
3.5  
3.6  
Frequency (GHz)  
Output Power(Pout) vs. Input Power(Pin)  
49  
freq.=3.6GHz  
48  
VDS=10V  
IDS@9.6A  
80  
70  
60  
47  
46  
45  
Pout  
50  
40  
30  
44  
43  
42  
hadd  
20  
10  
41  
40  
28  
30  
32  
34  
36  
38  
Pin(dBm)  
3

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