是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 2 PIN |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.1 |
外壳连接: | SOURCE | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 15 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 31 A |
最大漏极电流 (ID): | 20 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带: | S BAND | JESD-30 代码: | R-CDFM-F2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 125 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | GALLIUM ARSENIDE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
TIM3742-4L | TOSHIBA | TRANSISTOR C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 2-11D1B, 3 PIN, FET RF Power |
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TIM3742-4L-341 | TOSHIBA | TRANSISTOR RF POWER, FET, HERMETIC SEALED, 2-11D1B, 2 PIN, FET RF Power |
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TIM3742-4SL | TOSHIBA | MICROWAVE POWER GAAS FET |
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TIM3742-4SL-341 | TOSHIBA | MICROWAVE POWER GaAs FET |
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TIM3742-4UL | TOSHIBA | MICROWAVE POWER GaAs FET |
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TIM3742-4UL_09 | TOSHIBA | HIGH POWER P1dB=36.5dBm at 3.7GHz to 4.2GHz |
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