5秒后页面跳转
1N5769 PDF预览

1N5769

更新时间: 2024-02-08 00:58:11
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 146K
描述
8 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

1N5769 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
配置:COMMON CATHODE, 8 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-CDFP-F10
元件数量:8端子数量:10
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最大反向恢复时间:0.02 µs
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUALBase Number Matches:1

1N5769 数据手册

 浏览型号1N5769的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N5769的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N5769的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1N5769的Datasheet PDF文件第5页 

与1N5769相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N5770 MICROSEMI MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY

获取价格

1N5770 SENSITRON Rectifier Diode,

获取价格

1N5770 TI 8 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

获取价格

1N5770_1 MICROSEMI Isolated Diode Array with HiRel MQ, MX, MV, and MSP Screening Options

获取价格

1N5770S MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode

获取价格

1N5771 TI 8 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

获取价格