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THD218

更新时间: 2024-01-01 11:24:13
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体开关晶体管高压
页数 文件大小 规格书
6页 70K
描述
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

THD218 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.87Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):7 A
集电极-发射极最大电压:700 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):5JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:50 W
最大功率耗散 (Abs):50 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

THD218 数据手册

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THD218DHI  
Derating Curve  
DC Current Gain  
Collector Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter Saturation Voltage  
InductiveFall TimeI  
InductiveStorage Time  
3/6  

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