THD218

更新时间： 2024-01-01 10:43:48

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管高压
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描述
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

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THD218 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.87	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	700 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	50 W
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	1.5 V	Base Number Matches：	1

THD218 数据手册

THD218DHI

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING

NPN POWER TRANSISTOR

■

STMicroelectronics PREFERRED

SALESTYPE

■

HIGH VOLTAGE CAPABILITY

U.L. RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGE

(U.L. FILE # E81734 (N))

■

NPN TRANSISTOR WITH INTEGRATED

FREEWHEELING DIODE.

APPLICATIONS

■

HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR

ISOWATT218

DESCRIPTION

This devices is manufacturedusing Multiepitaxial

Mesa technology for cost-effective high

performance and uses a Hollow Emitter structure

to enhanceswitching speeds.

The THD series is designed for use in horizontal

deflection circuits in televisionsand monitors.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

Unit

1500

700

I_CM

Collector Peak Current (t_p< 5 ms)

Base Current

I_B

I_BM

Base Peak Current (t_p< 5 ms)

P_tot

T_stg

T_j

Total Dissipation at T_c= 25 C

^oC

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

1/6

December 1999

12 3 4 5 6

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