TH7813A

更新时间： 2024-01-24 08:48:57

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描述
50 MHz 1024/2048 Linear CCDs

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TH7813A 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.18	其他特性：	ELECTRONIC SHUTTER
阵列类型：	LINEAR	主体宽度：	10.47 mm
主体高度：	2.54 mm	主体长度或直径：	29 mm
数据速率：	50 Mbps	动态范围：	76 dB
水平像素：	1024	外壳：	PLASTIC
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	最大工作电流：	10 mA
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
输出范围：	1.65-3V	输出类型：	ANALOG VOLTAGE
封装形状/形式：	RECTANGULAR	像素大小：	10X10 µm
传感器/换能器类型：	IMAGE SENSOR,CCD	光谱响应 (nm)：	250-1100
最大供电电压：	15.5 V	最小供电电压：	14.5 V
表面贴装：	NO	端接类型：	SOLDER
垂直像素：	1024	Base Number Matches：	1

TH7813A 数据手册

TH7813A/TH7814A

Static And Dynamic Electrical Characteristics

Value

Typ

Parameter

Symbol

I_DD

Min

Max

Unit

Ω

Remarks

Output Amplifier Supply Current

Output Impedance

DC Output Level

per amplifier

Z_S

200

225

259

V_REF

CVF

DC off

Vft

Output Conversion Factor

Offset in Darkness

Reset Feedthrough

µV/e-

400

Electro-optical

Performances

without Infrared Cut-

off Filter

The TH7813A and TH7814A special semiconductor process enables to exploit the sili-

con's high near infrared sensitivity while maintaining good imaging performances in

terms of response uniformity and resolution. Typical changes in performance with and

without IR filtering are summarized below:

Parameter

With IR Cut-off Filter

Without IR Cut-off Filter

Average Video Signal Due to a Given Illumination

PRNU (Single Defects Excluded)

CTF at Nyquist Frequency

V_OS

±5%

65%

6 x V_OS

49%

Pixel Saturation

Adjustment

The TH7813A and TH7814A antiblooming structure can be used to adjust the maximum

saturation voltage, by adjusting the ΦA bias voltage. The following curve shows the rela-

tion between V_SATand VΦA.

Figure 7. Pixel Saturation vs. Antiblooming Bias (Typical Conditions)

Typical conditions

(V)

Antiblooming Bias

1990A–IMAGE–05/02

1...4 5 678 9 10

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