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TGF1350-SCC

更新时间： 2024-01-22 15:28:18
品牌 Logo 应用领域
TRIQUINT /
页数 文件大小 规格书
5页 470K
描述
Discrete MESFET

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TGF1350-SCC 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.84
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：8 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.1 A
FET 技术：JUNCTION最高频带：KU BAND
JESD-30 代码：O-CRDB-F4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：0.7 W
最小功率增益 (Gp)：8 dB认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

TGF1350-SCC 数据手册

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Product Data Sheet  
TGF1350-SCC  
Frequency  
(GHz)  
2.0  
S 11  
S 21  
S 12  
S 22  
TYPICAL S-PARAMETERS  
MAG  
0.98  
0.96  
0.93  
0.93  
0.90  
0.89  
0.88  
0.87  
0.85  
0.83  
0.82  
0.82  
0.81  
0.81  
0.80  
0.79  
0.78  
0.78  
0.77  
0.78  
0.77  
0.77  
0.76  
0.75  
0.75  
0.74  
0.74  
0.74  
0.73  
0.72  
0.73  
0.73  
0.74  
ANG (°)  
- 28  
- 36  
- 44  
- 51  
- 56  
- 60  
- 64  
- 67  
- 70  
- 74  
- 77  
- 80  
- 82  
- 85  
- 88  
- 92  
MAG  
3.22  
3.17  
3.07  
2.99  
2.88  
2.78  
2.73  
2.65  
2.55  
2.46  
2.36  
2.28  
2.22  
2.15  
2.12  
2.08  
2.05  
2.02  
2.00  
1.96  
1.90  
1.84  
1.79  
1.74  
1.69  
1.64  
1.56  
1.49  
1.43  
1.38  
1.36  
1.31  
1.26  
ANG (°)  
157  
151  
146  
141  
137  
133  
129  
125  
121  
118  
116  
113  
110  
107  
104  
101  
98  
95  
92  
88  
84  
81  
79  
76  
73  
MAG  
0.03  
0.04  
0.04  
0.05  
0.05  
0.05  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.07  
0.07  
0.07  
0.07  
0.08  
0.08  
0.08  
0.09  
0.09  
ANG (°)  
75  
71  
68  
65  
62  
61  
60  
58  
56  
55  
54  
54  
53  
52  
51  
51  
51  
50  
48  
46  
44  
42  
39  
37  
35  
32  
29  
25  
23  
21  
21  
22  
22  
MAG  
0.71  
0.71  
0.71  
0.69  
0.68  
0.68  
0.67  
0.66  
0.66  
0.66  
0.66  
0.66  
0.66  
0.65  
0.65  
0.65  
0.65  
0.65  
0.65  
0.65  
0.65  
0.64  
0.64  
0.64  
0.64  
0.64  
0.65  
0.66  
0.65  
0.65  
0.66  
0.66  
0.66  
ANG (°)  
- 12  
- 14  
- 14  
- 16  
- 17  
- 19  
- 24  
- 28  
- 30  
- 31  
- 32  
- 32  
- 33  
- 34  
- 38  
- 40  
- 43  
- 45  
- 48  
- 51  
- 54  
- 56  
- 58  
- 60  
- 64  
- 69  
- 74  
- 78  
- 81  
- 81  
- 81  
- 82  
- 83  
2.5  
3.0  
3.5  
4.0  
4.5  
5.0  
5.5  
6.0  
6.5  
7.0  
7.5  
8.0  
8.5  
9.0  
9.5  
10.0  
10.5  
11.0  
11.5  
12.0  
12.5  
13.0  
13.5  
14.0  
14.5  
15.0  
15.5  
16.0  
16.5  
17.0  
17.5  
18.0  
- 96  
- 99  
- 103  
- 106  
- 110  
- 114  
- 117  
- 120  
- 123  
- 125  
- 128  
- 131  
- 133  
- 136  
- 139  
- 140  
- 142  
69  
65  
61  
59  
57  
54  
52  
50  
o
TA = 25 C, VDS = 3 V, IDS = 15mA  
Reference planes for S-parameter data are located at center of gate and drain bond  
pads. Three 0.7 mil diameter wires, approximately 13 mils long, are bonded from the  
center of each of the source pads to ground. The S-parameters are also available on  
floppy disk and the world wide web.  
3
TriQuint Semiconductor Texas : (972)994 8465 Fax: (972)994 8504 Web: www.triquint.com  
12345

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与TGF1350-SCC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TGF1350SPCX TI

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 		KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
TGF148-1000B STMICROELECTRONICS

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 		63A, 1000V, SCR, TO-65
TGF148-1000Z STMICROELECTRONICS

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 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),63A I(T),TO-208AC
TGF148-1100B STMICROELECTRONICS

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 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.1KV V(DRM),63A I(T),TO-208AC
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TGF148-600B STMICROELECTRONICS

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 		63A, 600V, SCR, TO-65
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 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),63A I(T),TO-208AC
TGF148-700B STMICROELECTRONICS

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 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER,700V V(DRM),63A I(T),TO-208AC

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