Datasheet > TGBLN6603-5DL8

TGBLN6603-5DL8

更新时间： 2024-04-09 19:00:18

品牌	Logo	应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical		/
页数	文件大小	规格书
5页	597K
描述
34A, 60V, 40W, N Channel, Dual MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TGBLN6603-5DL8 数据手册

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TGBLN6603-5DL8

Ratings and Characteristics Curves (@ T_A= 25C unless otherwise specified)

0.04

0.035

0.03

0.025

0.02

0.015

0.01

0.005

V_GS= 4.5 V

V_GS= 6 /8 /10 V

V_GS= 4 V

V_GS= 3.5 V

V_GS= 3 V

V_GS= 4.5 V

V_GS= 10 V

V_DS(V)

I_D(A)

Fig 1 Output Characteristics

Fig 2 On-Resistance vs. ID

0.04

0.035

0.03

0.025

0.02

0.015

0.01

0.005

I_D= 10A

150℃

25℃

150℃

25℃

-55℃

0.5

1.5

V_SD(V)

V_GS(V)

Fig 3 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage

Fig 4 Body-Diode Characteristics

1.1

1.05

1.8

V_GS= 10V; I_D= 10A

1.6

1.4

V_GS= 4.5V; I_D= 10A

1.2

I_D= 250uA

0.8

0.6

0.95

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

T_J(℃)

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

T_J(℃)

Fig 5 On-Resistance vs. Junction Temperature

Fig 6 Drain-Source vs. Junction Temperature

MTM0736A: September 2022 [2.1]

www.gmesemi.com

1 234 5

中文翻译

下载PDF

与TGBLN6603-5DL8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TGBLN6604-5DL8	BL Galaxy Electrical	获取价格	20A, 60V, 25W, N Channel, Dual MOSFETs
TGBLN6606-S8	BL Galaxy Electrical	获取价格	4A, 60V, 2.5W, N Channel, Dual MOSFETs
TGBLNAA02-S8	BL Galaxy Electrical	获取价格	100V, Dual N Channel MOSFETs
TGBLNAA03-5DL8	BL Galaxy Electrical	获取价格	42A, 100V, 57W, N Channel, Dual MOSFETs
TGBLNBB01-5DL8	BL Galaxy Electrical	获取价格	18A, 150V, 46W, N Channel, Dual MOSFETs
TGBLP2202DF2	BL Galaxy Electrical	获取价格	-20V, Dual P Channel MOSFETs
TGBLP4401-S8	BL Galaxy Electrical	获取价格	5.9A, 40V, 2.5W, P Channel, Power MOSFETs
TGBLP4402-5DL8	BL Galaxy Electrical	获取价格	46A, 40V, 60W, P Channel, Power MOSFETs
TGBLP6601-S8	BL Galaxy Electrical	获取价格	-60V, Dual P Channel MOSFETs
TGBLP6602-S8	BL Galaxy Electrical	获取价格	-60V, Dual P Channel MOSFETs