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TESVFB21D225M8R

更新时间： 2024-01-20 02:35:00

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		电容器
页数	文件大小	规格书
3页	50K
描述
CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 20V, 2.2uF, SURFACE MOUNT, 1411, CHIP

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TESVFB21D225M8R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	, 1411	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8532.21.00.50
风险等级：	5.75	电容：	2.2 µF
电容器类型：	TANTALUM CAPACITOR	介电材料：	TANTALUM (DRY/SOLID)
JESD-609代码：	e0	漏电流：	0.0005 mA
安装特点：	SURFACE MOUNT	负容差：	20%
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装形状：	RECTANGULAR PACKAGE
包装方法：	TR	极性：	POLARIZED
正容差：	20%	额定（直流）电压（URdc）：	20 V
尺寸代码：	1411	表面贴装：	YES
Delta切线：	0.04	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形状：	J BEND	Base Number Matches：	1

TESVFB21D225M8R 数据手册

S V /F S e r ie s T a n t a lu m C h ip C a p a c it o r s

( F u s e B u ilt -in T y p e )

PERFORMANCE CHARACTERISTICS

DIMENSIONS [mm]

Operating temperature range

−55 to +125°C with proper voltage

derating as shown in the following table.

[B2 cases]

[C, D cases]

[D2 cases]

35R

10R

DC working voltage and surge voltage

Rated voltage

10 16 20 25 35 50

at 85°C 10 16 20 25 35 50

at 125°C 6.3 10 13 16 22 32

at 85°C 13 20 26 33 46 65

Working

Surge

(Unit: mm)

Capacitance (at 20°C, 120 Hz)

Range:

Tolerance:

1 µF to 47 µF

± 20%, ±10%

Case

Code

EIA code

3528

6032

5846

7343

3.5 ± 0.2 2.8 ± 0.2 2.3 ± 0.1 1.9 ± 0.2 0.8 ± 0.2

6.0 ± 0.2 3.2 ± 0.2 2.2 ± 0.1 2.5 ± 0.2 1.3 ± 0.2

5.8 ± 0.2 4.6 ± 0.2 2.4 ± 0.1 3.2 ± 0.2 1.3 ± 0.2

7.3 ± 0.2 4.3 ± 0.2 2.4 ± 0.1 2.8 ± 0.2 1.3 ± 0.2

−

Capacitance change with temperature

Not to exceed −12% at −55°C, +12% at

85°C, and +15% at 125°C

0.4 C

−

0.5 C

Tangent of loss angle (at 20°C, 120 Hz)

1 µF to 4.7 µF: less than 0.04

6.8 µF to 47 µF: less than 0.06

DC Rated

Voltage

(

)

Vdc

µF

DC leakage current (at 20°C)

0.01 C V^NoteµA or 0.5 µA, whichever is greater

•

1.5

2.2

3.3

4.7

6.8

Damp heat (90 to 95% RH at 40°C, 56 days (1344 h))

Capacitance change: ±5%

Tangent of loss angle: 150% of

initial requirements

D2, D

DC leakage current:

initial requirements

D2, D

Endurance (at 85°C, DC rated voltage, 2000 h)

Capacitance change: ±10%

C, D2

D2, D

Tangent of loss angle: initial requirements

DC leakage current:

125% of

D2, D

initial requirements

Resistance to soldering heat

(solder reflow at 260°C, 10 s.

or solder dip at 260°C, 5 s.)

Capacitance change: ±5%

Leakage current:

initial requirements

Tangent of loss angle: initial requirements

Fuse blow-out characteristic

Blow-out time:

B2 case:

C case:

5 s Max. with 2 A applied

10 s Max. with 2 A applied

D2, D cases: 20 s Max. with 2 A applied

Note: Product of capacitance in µF and voltage in V.

See pages 25 and 26 for taping specifications.

EC0171EJUV0SG00

12 3

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与TESVFB21D225M8R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TESVFB21E155M8L	NEC	CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 25V, 1.5uF, SURFACE MOUNT, 1411, CHIP	获取价格
TESVFC1A156K12R	NEC	CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 10V, 15uF, SURFACE MOUNT, 2412	获取价格
TESVFC1A156M12L	NEC	CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 10V, 15uF, SURFACE MOUNT, 2413, CHIP	获取价格
TESVFC1A156M12R	NEC	CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 10V, 15uF, SURFACE MOUNT, 2413, CHIP	获取价格
TESVFC1C106M12L	NEC	CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 16V, 10uF, SURFACE MOUNT, 2413, CHIP	获取价格
TESVFC1C106M12R	NEC	CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 16V, 10uF, SURFACE MOUNT, 2413, CHIP	获取价格

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