TDA1575

更新时间： 2024-02-13 05:12:42

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描述
FM front end circuit for CENELEC EN 55020 applications

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TDA1575 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.82
内置中频放大器：	YES	商用集成电路类型：	AUDIO TUNER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G16	长度：	9.9 mm
标称噪声指数：	11 dB	频带数量：	1
端子数量：	16	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)：	10 V	最小供电电压 (Vsup)：	7 V
表面贴装：	YES	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	3.9 mm

TDA1575 数据手册

Philips Semiconductors

Preliminary speciﬁcation

FM front end circuit for

CENELEC EN 55020 applications

TDA1575T

CHARACTERISTICS

V_P= 8.5 V and T_amb= +25°C, measurements taken in Fig.1 with f₀= 98 MHz (EMF1) unless otherwise speciﬁed.

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT

V_Psupply voltage (pin 13) 8.5 10

I_P

supply current

without mixer

V_REF

reference voltage (pin 5)

I₅≤ 3 mA

3.9

4.2

4.4

Mixer

I₁₄₊₁₅

V_1,2

mixer supply current (pins 14 and 15)

DC voltage input (pins 1 and 2)

input impedance

−

Z_1,2

−

Ω

V_14,15

C_14,15

G_P

DC output voltage (pins 14 and 15)

output capacitance

−

115

dBµV

conversion power gain

3rd order intercept point

noise ﬁgure

note 1

−

EMF1_IP3

−

total noise ﬁgure

including

−

transforming network

Oscillator

V_7,8

V₆

DC input voltage (pins 7 and 8)

DC output voltage (pin 6)

residual FM at pin 6

−

1.3

2.0

2.2

−

∆f

f = 300 to 15000 Hz;

de-emphasis 50 µs

Oscillator buffered output (pin 9)

V_O

V₉

output signal (RMS value)

DC output voltage

R_L= 500 Ω; C_L= 2 pF 75

−

R₉

DC output resistor

950

−15

−37

Ω

THD

f_S

total harmonic distortion

spurious frequencies

dBC

EMF1 = 2 V;

R_S= 50 Ω;

−

f_OSC= 108.7 MHz

Automatic gain control (AGC)

R₃

C₃

V₁₆

I₁₆

input resistance (pin 3)

input capacitance

−

kΩ

−

AGC output swing (DC)

output current at I₃= 0

output current at U₃= 2 V

threshold (RMS value)

Figs 3 and 4

V₁₆= ¹⁄₂V_P

0.5

−25

−

V_P− 0.3 V

−50

−

−150

µA

V₁₆= 7 to 10 V

I₁₆= 0; V₁₆= ¹⁄₂V_P;

EMF2

−

Figs 4 and 5

April 1993

1 2 3 456 7 8...16

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