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TD330N16KOF_TIM

更新时间： 2024-01-05 06:07:13

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Silicon Controlled Rectifier

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TD330N16KOF_TIM 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
Base Number Matches：	1

TD330N16KOF_TIM 数据手册

Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT330N

TD330N

TD330N16KOF_TIM

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1200

1400 V

1600 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

V_DRM,V_RRM

1200

1300

1400 V

1600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_DSM

V_RSM

I_TRMSM

I_TAVM

I_TSM

1500 V

1700 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

520 A

330 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85°C

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25°C, t_P= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10ms

12500 A

10000

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25°C, t_P= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10ms

I²t

781250 A²s

500000

A²s

Kritische Stromsteilheit

DIN IEC 747-6

(di_T/dt)_cr

250 A/µs

critical rate of rise of on-state current

f = 50Hz, i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

(dv_D/dt)_cr

1000 V/µs

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

1,28 V

0,8 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 800 A

v_T

on-state voltage

max.

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,5 mΩ

200 mA

2 V

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

Zündstrom

T_vj= 25°C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

10 mA

5 mA

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,2 V

Haltestrom

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_A= 1Ω

max.

300 mA

holding current

Einraststrom

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10Ω

I_L

max. 1200 mA

latching current

i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs, t_g= 20µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

max.

70 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

DIN IEC 747-6

t_gd

gate controlled delay time

T_vj= 25°C, i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs

date of publication: 2016-11-25

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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TD330N16KOFTIMHPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-
TD330N18AOF	INFINEON	获取价格	Thyristor/Diode 50 mm Power Block 1800 V, 330 A module for phase control with high reliabl
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