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TD310N22KOFHPSA1

更新时间： 2024-11-19 15:54:07

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英飞凌 - INFINEON		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
13页	408K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 700A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element, MODULE-5

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TD310N22KOFHPSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.71	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大直流栅极触发电流：	250 mA	JESD-30 代码：	R-XUFM-X5
元件数量：	1	端子数量：	5
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大均方根通态电流：	700 A	参考标准：	IEC-747-6
断态重复峰值电压：	2200 V	重复峰值反向电压：	2200 V
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

TD310N22KOFHPSA1 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT310N

Phase Control Thyristor Module

TT310N

TD310N

DT310N

TT310N...-A

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

2000

2400

2200 V

2600 V

V_DRM,V_RRM

2000

2400

2200 V

2600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

2100

2500

2300 V

2700 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

700 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

310 A

446 A

T_C= 85°C

T_C= 58°C

10000 A

9000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

500000 A²s

405000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,

120 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

_GM= 1,25 A, di_G/dt = 1,25 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter C

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

500 V/µs

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

2,22 V

1 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1300 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

V_(TO)

r_T

0,86 mΩ

250 mA

1,5 V

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

0,2 V

max.

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

max. 1500 mA

i_GM= 1,25 A, di_G/dt = 1,25 A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

80 mA

3,3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6 T_vj= 25 °C,

_GM= 1,25 A, di_G/dt = 1,25 A/µs

C.Drilling

date of publication: 18.12.02

prepared by:

revision:

approved by: J. Novotny

BIP AC / 22 Nov 1994, A. Rüther

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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TD310N26KOFHPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 700A I(T)RMS, 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 Element, MODULE-
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