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TC538200F(EL)

更新时间: 2024-01-04 03:59:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 可编程只读存储器有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 200K
描述
IC 1M X 8 MASK PROM, 200 ns, PDSO44, 0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44, Programmable ROM

TC538200F(EL) 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.08
最长访问时间:200 ns备用内存宽度:16
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
长度:28.2 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:MASK ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:44
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.1 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:12.6 mmBase Number Matches:1

TC538200F(EL) 数据手册

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