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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | 0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.04 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 200 ns |
| 备用内存宽度： | 16 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 28.2 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | MASK ROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.1 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 12.6 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC5316210CF | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 2M X 8 MASK PROM, 120 ns, PDSO44, 0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44, Programmable ROM |
|
| TC5316210CP | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 2M X 8 MASK PROM, 120 ns, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42, Programmable ROM |
|
| TC532000AP | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 256K X 8 MASK PROM, 150 ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32, Programmable ROM |
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| TC53257 | TOSHIBA |
获取价格 |
256K BIT (32K WORD x 8 BIT) CMOS MASK ROM SILICON GATE MOS |
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| TC53257F | TOSHIBA |
获取价格 |
256K BIT (32K WORD x 8 BIT) CMOS MASK ROM SILICON GATE MOS |
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| TC53257P | TOSHIBA |
获取价格 |
256K BIT (32K WORD x 8 BIT) CMOS MASK ROM SILICON GATE MOS |
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| TC532600LABNBXXZC-PF | ACT |
获取价格 |
TCXO/VC-TCXO, 5.0 x 3.2mm, Clipped sine wave |
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| TC532600LABNBXXZD-PF | ACT |
获取价格 |
TCXO/VC-TCXO, 5.0 x 3.2mm, Clipped sine wave |
|
| TC532600LABNBXXZL-PF | ACT |
获取价格 |
TCXO/VC-TCXO, 5.0 x 3.2mm, Clipped sine wave |
|
| TC532600LADNBXXZC-PF | ACT |
获取价格 |
TCXO/VC-TCXO, 5.0 x 3.2mm, Clipped sine wave |
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