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TC5164405AJ-50

更新时间: 2024-10-01 19:54:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
26页 911K
描述
IC 16M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32, Dynamic RAM

TC5164405AJ-50 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-32针数:32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.29
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:50 ns
其他特性:CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-J32
长度:20.96 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:3.7 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

TC5164405AJ-50 数据手册

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