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TC5164805AJ-50

更新时间: 2024-10-01 21:06:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 738K
描述
IC 8M X 8 EDO DRAM, 50 ns, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-32, Dynamic RAM

TC5164805AJ-50 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-32
针数:32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.3访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:50 ns其他特性:CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-J32JESD-609代码:e0
长度:20.96 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:3.7 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

TC5164805AJ-50 数据手册

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