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TC5165165AFT-60

更新时间: 2024-10-01 15:53:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 1233K
描述
IC 4M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-50, Dynamic RAM

TC5165165AFT-60 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP2,针数:50
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.29
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G50JESD-609代码:e0
长度:20.95 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:50字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

TC5165165AFT-60 数据手册

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