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TC427EOA

更新时间: 2024-01-19 12:29:41
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美国微芯 - MICROCHIP 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
16页 462K
描述
1.5A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers

TC427EOA 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
包装说明:DIP,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.59高边驱动器:NO
接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码:R-PDIP-T8
长度:9.5 mm功能数量:2
端子数量:8标称输出峰值电流:1.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
筛选级别:TS 16949座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压:18 V最小供电电压:4.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL断开时间:0.12 µs
接通时间:0.075 µs宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

TC427EOA 数据手册

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TC426/TC427/TC428  
FIGURE 3-1:  
INVERTING DRIVER  
SWITCHING TIME  
TEST CIRCUIT  
FIGURE 3-2:  
NONINVERTING DRIVER  
SWITCHING TIME  
TEST CIRCUIT  
V
= 18V  
V
= 18V  
DD  
DD  
1µF  
0.1µF  
1µF  
0.1µF  
Input  
1
2
Output  
Input  
1
2
Output  
C
= 1000pF  
L
C
= 1000pF  
L
Input: 100kHz,  
square wave,  
Input: 100kHz,  
square wave,  
t
= t  
10nsec  
RISE  
FALL  
t
= t  
10nsec  
FALL  
RISE  
TC426  
(1/2 TC428)  
TC427  
(1/2 TC428)  
+5V  
90%  
+5V  
90%  
Input  
Input  
10%  
0V  
10%  
0V  
t
t
D2  
D1  
t
t
R
F
18V  
18V  
90%  
90%  
10%  
90%  
90%  
t
t
D2  
D1  
t
t
F
R
Output  
0V  
Output  
0V  
10%  
10%  
10%  
FIGURE 3-3:  
VOLTAGE DOUBLER  
+15V  
30.  
29.  
28.  
+
0.1µF  
27.  
26.  
25.  
24.  
4.7µF  
1N4001  
6
1N4001  
V
OUT  
+
2
1/2  
TC426  
23.  
22.  
7
f
= 10kHz  
IN  
10µF  
+
3
47µF  
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100  
(mA)  
I
OUT  
FIGURE 3-4:  
VOLTAGE INVERTER  
+15V  
-5  
-6  
-7  
+
0.1µF  
4.7µF  
-8  
-9  
-10  
-11  
6
V
1N4001  
OUT  
+
2
1/2  
-12  
-13  
TC426  
7
f
= 10kHz  
IN  
10µF  
3
47µF  
1N4001  
+
-14  
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100  
(mA)  
I
OUT  
2002 Microchip Technology Inc.  
DS21415B-page 7  

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