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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP24,.6 |
| 针数： | 24 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.91 | 最长访问时间： | 65 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 | 长度： | 31.75 mm |
| 内存密度： | 8192 bit | 内存集成电路类型： | OTP ROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP24,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | OTP ROMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TBP28S86J | TI |
获取价格 |
IC,PROM,1KX8,TTL,DIP,24PIN,CERAMIC |
|
| TBP28S86N1 | TI |
获取价格 |
IC,PROM,1KX8,TTL,DIP,24PIN,PLASTIC |
|
| TBP28S86N3 | TI |
获取价格 |
IC IC,PROM,1KX8,TTL,DIP,24PIN,PLASTIC, Programmable ROM |
|
| TBP28S86NP1 | TI |
获取价格 |
IC,PROM,1KX8,TTL,DIP,24PIN,PLASTIC |
|
| TBP28SA10 | TI |
获取价格 |
STANDARD AND LOW POWER PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORIES |
|
| TBP28SA41 | TI |
获取价格 |
STANDARD AND LOW POWER PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORIES |
|
| TBP28SA42 | TI |
获取价格 |
STANDARD AND LOW POWER PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORIES |
|
| TBP28SA42J | TI |
获取价格 |
STANDARD AND LOW POWER PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
|
| TBP28SA42MJ | TI |
获取价格 |
STANDARD AND LOW POWER PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
|
| TBP28SA42N | TI |
获取价格 |
STANDARD AND LOW POWER PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
|
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